SJ 214982018 声表面波器件镀膜工艺技术要求.pdf

SJ 21498-2018 声表面波器件镀膜工艺技术要求.pdf文档页数:9文档大小:4.67MB文档格式:pdf SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6200 SJ21498-2018 声表面波器件镀膜工艺技术要求 Technical requirements for wafer film coating process of surface acoustic wave device 201...

SJ 21498-2018 声表面波器件镀膜工艺技术要求.pdf

文档页数:9文档大小:4.67MB文档格式:pdf

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6200 SJ21498-2018 声表面波器件镀膜工艺技术要求 Technical requirements for wafer film coating process of surface acoustic wave device 2018-12-29发布 2019-03-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21498-2018 前言 本标准由中国电子科技集团有限公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所. 本标准主要起草人:李洪平、吴琳、张俊、陈彦光、刘洋、刘晓莉、许东辉、陶毅、米佳、冷俊林. AND INDUSTRY HO ECHINOL SJ STANDARDS I SJ21498-2018 声表面波器件镀膜工艺技术要求 1范围 本标准规定了声表面波器件镀金属膜工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求,以 及声表面波器件镀金属膜工艺的典型工艺流程、各工序技术、检验等详细要求. 本标准适用于军用声表面波器件的电子 和磁控溅射镀金属膜工艺. 2规范性引用文件 RY AND 下列文件中的条款通过 风的用文件,其随后的 不标准的引用而成为木标准的条款.凡是 注 修改单(不包含勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用子本标准. GB/T25915.12010洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级 SJ/T10152-1991集成电路主要工艺设备术语 SJ/T11185-1998 蒸发镀膜设备通用规范 3术语和定义 TECHNOL SJ/T10152-191确立的以及下列术语和定义适用于本标准 3.1 电子束蒸发镀膜electron beam evaporation coating 在高真空下电子枪加热后发射热电子,被阳极加速,形成高能电子束直接轰击置于坩埚内的源材 料,使源材料加热蒸发沉积到基片上形成薄膜的过程. 3.2 磁控溅射镀膜magnetron sputtering coating 在靶面附近引入磁场,利用洛伦兹力将电子束缚在靠近靶面的等离子区域内,提高溅射率的溅射镀 膜过程. NDA 4一般要求 4.1人员 工艺人员应具备以下条件: a)应熟练掌握本标准规定的操作方法,能够熟练、正确操作所使用的镀膜设备; b)经过单位培训并考核合格,颁发上岗证后才能上岗. 4.2工艺环境 工艺环境要求如下: a)温度:22℃3℃; b)相对湿度:30%~70%; ...

本文来自叛逆风云投稿,不代表文丁图集立场,如若转载,请注明出处:https://www.2b34.com/blog/120543.html

打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
() 0
上一篇 08-11
下一篇 08-11

相关推荐

  • T/CI 1512022 虚拟商品交付平台 充值数据接口.pdf

    T/CI 151-2022 虚拟商品交付平台 充值数据接口.pdf文档页数:13文档大小:2.53MB文档格式:pdf ICS35.200 CCS L65 团 体 标 准 T/C1151—2022 虚拟商品交付平台充值数据接口 Recharge data interface of virtual modity delivery platform 2022-12-19发布 2022-12-19实施 中国

    2025-11-12 05:16:01
    792 0
  • 科技产业基地施工合同.doc

    科技产业基地施工合同.doc文档页数:7文档大小:48.61KB文档格式:doc 合同编号:TJCWC1202-G001 天津华强文化科技产业基地 桩基础工程 施 工 合 同 发包人:天津华强文化科技有限公司 承包人: 2012年2月15日 天津华强文化科技产业基地桩基础工程施工合同 发包人:天津华强文

    2025-11-11 23:16:01
    689 0
  • SJ 214552018 集成电路陶瓷封装 合金烧结密封工艺技术要求.pdf

    SJ 21455-2018 集成电路陶瓷封装 合金烧结密封工艺技术要求.pdf文档页数:13文档大小:7.63MB文档格式:pdf SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6130 SJ21455-2018 集成电路陶瓷封装 合金烧结密封工艺技术要求 Integrated circuit ceramic package- Technical requirements for

    2025-11-11 23:00:02
    427 0
  • SJ/T 115862016 半导体器件10keV低能X射线总剂量辐射试验方法.pdf

    SJ/T 11586-2016 半导体器件10keV低能X射线总剂量辐射试验方法.pdf文档页数:13文档大小:9.42MB文档格式:pdf ICS31.080.01 L40 备案号: SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11586—2016 半导体器件10keV低能X射线 总剂量辐射试验方法 10keV X-ray total dose radiation te

    2025-11-11 18:56:02
    447 0

评论列表

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮件:admin@qq.com

工作时间:周一至周五,9:30-18:30,节假日休息

关注微信