SJ 21497-2018 声表面波器件光刻工艺技术要求.pdf
文档页数：10文档大小：5.65MB文档格式：pdfSJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6200 SJ21497-2018 声表面波器件光刻工艺技术要求 Technical requirements for lithography process of surface acoustic wave device 2018-12-29发布 2019-03-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21497-2018 前言 本标准由中国电子科技集团有限公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所. 本标准主要起草人：冷俊林、吴琳、张俊、米佳陶毅、冉龙明、李洪平、张龙、刘洋、曾武. AND OFINDUSTRY MULSININ RMATION ECHNO SJ STANDARDS I SJ21497-2018 声表面波器件光刻工艺技术要求 1范围 本标准规定了声表面波器件光刻工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及声 表面波器件光刻工艺的典型工艺流程、各工序技术、检验等详细要求. 本标准适用军用于声表面波器件光刻工 中的业法腐蚀方法、干法刻蚀方法、剥离方法. 2规范性引用文件 TRY AND INFORM 下列文件中的条款通过 标准的引用而成为木标准的条款.凡是的用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内 容或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本，是不注日期的引用文件，其最新版本适用子本标准. GB/T25915.12010洁净室及相关受控环境 8 第1部分：空气洁净度等级 GJB4027A-2006军用电子元器件破坏性物理分析方法 SJ/T10152-199 集成电路主要工艺设备术语 SJ21498-2018 声表面波器件镀膜王艺技术要求 3术语和定义 SJ10152-199确立的以及下列术语和定义适用于本标准、 3.1 剥离方法ift-off process 采用溶剂溶解光刻胶达到去除光刻胶上面沉积的金属的方法. 3.2 关键尺寸critical dimension 声表面波器件的叉指的线宽及周期宽度 3.3 NDARDS 负版negative reticle 版图上图形透光区图形形状与设计图形形状相同的掩模板. 3.4 正版positive reticle 版图上图形不透光区图形形状与设计图形形状相同的掩模板. 4一般要求 4.1人员 工艺人员应具备以下条件： a)应熟练掌握光刻工艺的基本技能，了解光刻工艺的技术要求，经过专业岗位技术培训； ...
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