SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件 第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范.pdf
文档页数：17文档大小：15.72MB文档格式：pdfICS31.080.30 L44 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T9014.8.2—2018 半导体器件 分立器件 第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应 晶体管空白详细规范 Semiconductor devices Discrete devices Part 8-2:Blank detail specification for super junction metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 2018-04-30发布 2018-07-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T9014.8.22018 前言 本规范是《半导体器件》系列国家标准之一.下面列出与本规范有关的已出版的《半导体器件》系 列标准： —半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则(GB/T17573一1998)； —半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管(GB/T4586一1994)； —一半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体 管空白详细规范(GB/T6219一1998) —半导体器件第10部分：分 GBT4589.1-2006): 半导体器件 分 器 文和集威厨隆粒RMA 规范 (GBT 1994 本规范按照GB/T 50 给出的规则起草. 请注意本文件 容有可能涉及专利.本文件的发布机构不应 识别这些专利的责任. 本规范由工 部电子工业标准化研究院归口. 本规范起草单 公 有限公司、上海虹宏力半导体制置有限公司、华润上 华科技有限公司 材华微感子股份有限公司 天水华天电子集团股份有限公 本规范主草人：陈爱梁、 周宏伟、 肖魁、王新、兵. OTONHO STANDARDS 0 ...
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