T/IAWBS 001-2017 碳化硅单晶.pdf
文档页数：22文档大小：5.56MB文档格式：pdfICS29.045 H80/84 vide Bandgap 宽禁带半导体技术创新联型 团 体 次 标 准 T/IAWBS001-2017 碳化硅单晶 Monocrystalline silicon carbide 2017-12-20发布 2017-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 刮涂膜重真伪 T/IAWBS001-2017 目次 前言 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 1 4产品分类 2 4.1分类 2 4.2牌号 2 4.3规格 2 5技术要求2 5.1直径及允许误差 2 5.2电阻率和电阻率分布 ....3 5.3参考面取向和位置 3 5.4参考面长度 3 5.5晶向及晶向分离 3 5.6 晶型 3 5.7 晶体完整性 3 5.8晶体的杂质含量4 6试验方法 4 6.1直径 4 6.2电阻率4 6.3晶向 4 6.4参考面取向 4 6.5参考面长度 4 6.6 晶型 4 6.7晶体完整性 4 6.8高纯半绝缘晶体的杂质含量 5 7检验规则 5 7.1检验与验收7.2检验批5 7.3检验项目 6 7.4抽样5 7.5 等级判定 5 7.6不合格品处置 5 7.7检验条件 6 8标志、包装、运输和贮存 6 8.1标志、合格证与质量保证书6 8.2产品包装、装箱 6 I T/IAWBS001-2017 8.3储存和运输6 附录A(规范性附录)碳化硅单晶牌号规定 7 附录B(资料性附录)碳化硅晶片拉曼光谱检测方法 附录C(资料性附录)碳化硅晶片摇摆曲线检测方法11 附录D(资料性附录)碳化硅晶片位错密度检测方法14 ...
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