SJ/T 11631-2016 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法.pdf
文档页数：8文档大小：5.3MB文档格式：pdfICS77.040 H21 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11631—2016 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法 Test methods for surface defects of silicon wafers for solar cell 2016-04-05发布 2016-09-01实施 AN MAT SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 2016 SJ/T11631—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)提出. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：中国有色金属工业标准计革质量研究所、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司. 本标准主要起草人：陈佳洵 黄、 CHNO SJ STANDARDS I SJ/T11631—2016 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法 1范围 本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）外观缺陷的测试方法. 本标准适用于太阳能电池用硅片的沾污、崩边和缺口等外观缺陷的测试.对于其他类型硅片或外观 缺陷在使用本标准规定的测试方法时，需经有关各方协商. 下列文件对于本的ERY AND 2规范性引用文件 用是 INFORMA 必不可少的.凡是注日期的引用 期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用文件其最新版本（包括的修改单）适用于 GB/T14264 半 导体材料术 GB/T26071 阳能电池用硅单晶切割片 GB/T29055 太阳电池用多晶硅片 3术语和定义 GB/T14264CB/T260716B/T29055界的木语和定义适用于本文件. 4方法原理 4.1概述 本标准采用光学成像法测试硅片的外观缺陷，通过分析光线经硅片反射或从硅片中透射后光学属性 的变化来表征硅片的外观缺况，主要包括镜面反射法、漫反射 和透射法.硅片外观缺陷产生原因 及常见表现形式参见附录A. 4.2镜面反射法 TANDAR 光源和成像系统在硅片的同侧，光线入射方向与硅片所在平面的夹角和成像系统接收方向与硅片所 在平面的夹角相同(0<0<90 0<<90°，a=B) 使得成像系统可以接收大部分的反射光线，如图1所示. 当硅片存在崩边或缺口时，缺陷区域反射光线在角方向密度发生变化，成像系统接收到的光强与无缺 陷时存在明显差异，反映在成像系统拍摄的图片上，即缺口和部分崩边区域较正常区域暗，部分崩边区 域较正常区域亮.该方法可用于硅片的崩边和缺口测试. ...
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