T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法.pdf
文档页数：12文档大小：3.04MB文档格式：pdfICS77.040.01 L17 o Wide Bandgap Semc WB eAouU () 团 体 标 准 T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers 2017-12-20发布 2017-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 发布 刮涂层查真伪 T/IAWBS002-2017 目次 前言 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义1 4原理2 5测试仪器 2 6测试样品 .2 7测试环境 3 8测试程序 8.1测量点的位置 .3 8.2测量区的面积 3 8.3测量系统的准备 .3 9测试步骤.3 10测试结果 3 10.1测试结果的计算 ..3 10.2测试的干扰因素 4 10.3精密度 4 11质量保证和控制 4 12测试报告 5 附录A(资料性附录)缺陷图谱6 T/IAWBS002-2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天 天成电子科技（厦门）有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、 中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、西安电子科技大学、中国 科学院半导体研究所. 本标准主要起草人：钮应喜、杨霏、温家良、吴军民、潘艳、陈志霞、刘丹、冯淦、张新河、田亮、田红林、 吴吴、李玲、李永平、张文婷、李嘉琳、焦倩倩、李资、王英民、贾仁需、刘兴肪、陆敏、彭同华、刘振洲. ...
本文来自残陌浩空投稿，不代表文丁图集立场，如若转载，请注明出处：https://www.2b34.com/blog/180491.html
微信扫一扫 
