GB/T 22586-2018 电子学特性测量 超导体在微波频率下的表面电阻.pdf
文档页数：35文档大小：2.95MB文档格式：pdfICS77.040.99 H21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T22586—2018 代替GB/T22586一2008 电子学特性测量 超导体在微波频率下的表面电阻 Electronic characteristic measurements-Surface resistance of superconductors at microwave frequencies (IEC 61788-7:2006 Superconductivity-Part 7:Electronic characteristic measurements-Surface resistance of superconductors at microwave frequencies MOD) 2018-03-15发布 2018-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 22586-2018 目 次 前言 Ⅲ 引言 1范围 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4要求 5装置 2 5.1测试系统 2 5.2Rs测试腔体 2 5.3介质柱 3 6测试步骤 4 6.1样品准备 4 6.2系统构建 .4 6.3参考电平的测试 5 6.4谐振器频响特性的测试 5 6.5超导薄膜的表面电阻Rs、标准蓝宝石柱的e'和tan的确定6 7测试方法的精密度和精确度 .7 7.1表面电阻 7 7.2温度 8 7.3样品和支撑结构.8 7.4样品的保护 9 8测试报告9 8.1被测样品的标识 9 8.2Rs值报告9 8.3测试条件报告 .9 附录A(资料性附录)与第1章~第8章相关的附加资料10 附录B(规范性附录)改进型镜像介质谐振器法 19 附录C(资料性附录)与附录B相关的附加资料25 参考文献 28 图1使用制冷机测试Rs随温度变化特性的装置图 2 图2典型的Rs测试腔体示意图 3 图3T(K)温度下的插入损耗IA 谐振频率f.和半功率点带宽△f5 图4反射系数(S11和S22) 6 图5表4中术语的定义 8 I GB/T22586-2018 图A.1各种测量微波表面电阻Rs方法结构示意图 10 图A.2两端由两片沉积在介质基片上的超导薄膜短路圆柱形介质谐振器的几何结构 12 图A.3TEop模式的u一v和W一v关系的计算结果 13 图A.4测量Rs、tan8的标准介质柱的电磁场结构13 图A.5三种形式的谐振器的结构示意图14 图A.6设计平行超导薄膜两端短路的TE011谐振器的模式图[20] 15 图A.7设计平行超导薄膜两端短路的TE013谐振器的模式图[20] 16 图A.8闭合式TEo谐振器的模式图 17 图A.9闭合式TEo3谐振器的模式图 18 图B.1测试系统示意图 19 图B.2典型的改进型镜像介质谐振器法谐振装置安装示意图 20 图B.3测试探头加载被测样品示意图 20 图B.4耦合结构示意图21 图B.5金腔结构示意图 22 图B.6校准探头与测试探头装配良好时的牛顿环示意图 ...
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