SJ/T 2216-2015 硅光电二极管技术规范.pdf
文档页数：14文档大小：6.33MB文档格式：pdfICS31.080 L54 备案号：50543-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2216—2015 代替SJ/T2216一1982 硅光电二极管技术规范 Technical specification for photodiode of silicon 2015-04-30发布 2015-10-01实施 2015 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T2216—2015 前 言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本规范代替SJ/T2216一1982《硅光敏二极管》. 本规范与SJ/T2216一1982相比主要变化如下： —第1章，将原适用于2CU三个型号改为适用于2CU系列. ——增加了第2章“规范性引用文件”和弟3草“术语、定义和符号”. 器件结构增加了“38mm” 器件的设计参数增加了光 的构家ORMATON TE 谱响应范围（见4.1 一增加了绝对最大定值的规定（见4.2）. —删除了原标大反向电压为10V、20V、30V、40V和 —一删除了原标准寸峰值波长的规定 ——增加了最低作和存温度的要求（见表1）. ——高温测试3温度由原85℃提高到100 —一增加了外观质量”的规定（见4.4 —一质量评定程序所执行纳上层探，由原SJ/T2213一1982《半导体光敏管、光耦合器总技术条 件》改为执行GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件刷集成电路总规范》、 GB/11565一1990《半导体器件光电子器分规范》（见6.1）. ——增加了酷构相似器件的相关规定（见63） —一环境舌应性要求增加了密封试验和低温财存试 ——增加了第章附加说明 OOTON —一删除了原附录A“光敏二极管参数符号说明”. 请注意本文件的乘内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别些专利的责任. 本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本规范起草单位：工业 息化部电子工业标准化研究院 北京五 七光电子有限公司. 本规范主要起草人： 卫 本规范历次版本发布情况 ANDARD I SJ/T2216—2015 硅光电二极管技术规范 1范围 本规范规定了硅光电二极管的光电特性和机械特性以及环境特性的技术要求、检验方法和检验规则 等. 本规范适用于2CU系列硅光电二极管（以下筒称“器件”）. 2规范性引用文件 2Y AND INFORM 下列文件对于本文件的厚用是必不可少的.凡是注日期的引用 仪所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件、其最新版本（包括的修改单）适用子 A GB/T2423.1/①电子产品环境试验第部分：试验方法 零式验A 低 GB/T2423 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B:高温二 GB/T2828.12003 计数抽样检验程序 部分：按接收质量限(AQL)枪索逐批检验抽样计划 GB/T4589.二2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937(部分) 导体兴件机和气候试验方去 GB/T114992001半导体分立器件文字 GB/T125652990半导体器件光电子器件分规范 GB/T15651半事体器件分器件和集成电路第5分光电子器件 SJ/T2247一83半导体光电子器件外形尺寸 SJ/T2214-2015 半导体光电一极管和光电晶体管测试方法 CHNOLOGY 3术语、定义和待号 GB/T11499—2001和 CANDARDS 5651界定的术语、定义和符号适 4要求 4.1设计和结构 4.1.1器件为金属玻璃光窗封装结...
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