T/IAWBS 014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法.pdf
文档页数：11文档大小：919.65KB文档格式：pdfICS29.045 of Wide Bande ston CO H80/84 WB ouupa 团体标准 T/IAWBS014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers uoneAouu B 6g/oupal. 宽禁带半导体技术创新联盟 2021-09-15发布 2021-09-22实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS014-2021 目录 前言. 1范围 ..1 2规范性引用文件1 3术语和定义 4原理 1 5干扰因素. .2 6化学试剂 .2 7仪器设备 .2 8样品制备 .2 9测试程序 .2 10试验数据处理 .7 11精密度 .7 12试验报告 NB 一9 宽禁带半导体技术创新联盟 I T/IAWBS014-2021 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规 则》的规定起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本文件起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京天科合达半导体股份有 限公司. 本文件主要起草人：彭同华、余宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、 郭钰、杨建. 本文件为首次制定. VB 宽禁带半导体技术创新联盟 ...
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