GB/T 34479-2017 硅片字母数字标志规范.pdf
文档页数：13文档大小：2.73MB文档格式：pdfICS29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T34479-2017 硅片字母数字标志规范 Specification for alphanumeric marking of silicon wafers 2017-10-14发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T34479-2017 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：有研半导体材料有限公司、浙江省硅材料质量检验中心. 本标准主要起草人：张静、孙燕、边永智、楼春兰. I GB/T34479—2017 硅片字母数字标志规范 1范围 本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范，包括标志的形状和尺寸、字母数 字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等. 本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志. 注：字母数字标志及关联信息存入数据库，可被简单的自动光学字符读数(OCR)仪或人工进行独立、快速识别，确 保晶片制造商对晶片标记的一致性. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 SEMI AUX001供应商识别码列表(List of vendor identification codes) SEMI AUX015自动光学字符读数字符概述(SEMI OCR character outlines.) 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 字符间隔character separation 任意字符的相邻边界之间的水平距离. 3.2 字符间距character spacing 相邻字符的字符中心线之间的水平距离. 3.3 字符倾斜度character skew 字符的基线与字符的窗口底部平行线之间的字符倾斜度. 3.4 相邻字符未对准度character misalignment 同一行两个相邻字符的字符基线之间的垂直距离. 3.5 行字符未对准度line spacing misalignment 同一行中最高和最低字符的基线之间的垂直距离. 4标志的形状和尺寸 4.1写人字符时可使用实线法或点阵法，最小点阵尺寸应为水平方向5个点，垂直方向9个点，如图1 1 ...
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