SJ 21499-2018 声表面波器件划片工艺技术要求.pdf
文档页数：8文档大小：3.37MB文档格式：pdfSJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6200 SJ21499-2018 声表面波器件划片工艺技术要求 Technical requirements for wafer dicing process of surface acoustic wave device 2018-12-29发布 2019-03-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21499-2018 前言 本标准由中国电子科技集团有限公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所. 本标准主要起草人：陶毅、吴琳、张俊、冷俊林、李洪平、唐光庆、米佳、刘良芳、刘洋. AND RMATION SJ STANDARDS I SJ21499-2018 声表面波器件划片工艺技术要求 1范围 本标准规定了声表面波器件划片工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及声 表面波器件划片工艺的典型工艺流程、各工序技术、检验等详细要求. 本标准适用于军用声表面波器件砂轮划 2规范性引用文件 RY AND INFORMA 下列文件中的条款通过水标准的引用而成为本标准的条款.凡是注园期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本准达成协议的各方研究 是否可使用这些文保的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用本标准. GB/T25915.12010/洁净室及相关受控环境第1部分：空洁净度等级 SJ/T10152-1991集成电路主要工艺设备术语 3术语和定义 SJ/T10152-1991确立的以及下列术语和定义适用于本标准. 划片wafer dicing 将晶片切割成T个独立芯片的过程. 4一般要求 4.1人员 工艺人员应具备以下条件！ DS a)需熟练掌握划片工艺的基本技能，了解划片工艺的打 友术 还过专业岗位技术培训； b)熟悉操作规程、检验标准，按要求操作.D 4.2环境 划片工艺环境要求如下： a)温度：22℃3℃； b)相对湿度：30%~70%； c)洁净度：不低于GB/T25915.1-2010中规定的ISO7级； d)洁净间应铺设防静电地板，操作台为防静电台面并接地，台面下安装防静电手环并接地； e)生产操作中使用的物品均应有防静电功能. 4.3安全防护 4.3.1人员安全 人员安全要求如下： a)划片机主轴未完全停止前，严禁靠近刀片和主轴，以防被切伤； ...
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