GB/T 339222017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法.pdf

GB/T 33922-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法.pdf文档页数:12文档大小:2.95MB文档格式:pdf ICS31.200 L55 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T33922-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的 圆片级试验方法 Wafer level test methods for MEMS piezoresistive pre...

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ICS31.200 L55 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T33922-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的 圆片级试验方法 Wafer level test methods for MEMS piezoresistive pressure-sensitive die performances 2017-07-12发布 2018-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T33922-2017 目 次 前言 Ⅲ 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4试验条件 1 4.1大气条件 1 4.2电磁条件2 4.3振动条件2 4.4测试系统 2 5试验的一般规定 2 5.1证书文件 2 5.2预热时间2 5.3连接方式2 6试验内容和方法 2 6.1试验准备2 6.2电阻 2 6.3常压输出 3 6.4静态性能试验 4 6.5温度性能试验 7 GB/T33922-2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口. 本标准主要起草单位:北京大学、中机生产力促进中心、北京必创科技股份有限公司、中国电子科 技集团公司第十三研究所、中北大学. 本标准主要起草人:张威、程红兵、陈得民、李海斌、崔波、石云波、朱悦. Ⅲ ...

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