GB/T 30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求.pdf
文档页数：9文档大小：275.5KB文档格式：pdfICS31.550 L95 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30116—2013 半导体生产设施电磁兼容性要求 Requirements for semiconductor manufacturing facility electromagnetic patibility 2013-12-17发布 2014-04-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求 1范围 本标准规定了为保证半导体生产设施与用于生产半导体器件的设备能一起可靠运行的电磁兼容性 (EMC)要求. 本标准适用于生产半导体器件的设施和设备，这些设施和设备涵盖的设施警报、安全、通信与 控制系统、工艺设备、测量设备、自动化设备以及信息技术设备. 本标准不适用于集成电路的封装与功能测试所采用的设备和设施，也不适用于可能在半导体生产 过程中产生的静电. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB9254信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法 GB/T17626.2一2006电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 GB/T17626.3-2006电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验 GB/T17626.4一2008电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 GB/T17626.5-2008电磁兼容试验和测量技术浪涌（冲击）抗扰度试验 GB/T17626.16--2007电磁兼容试验和测量技术0Hz~150kHz共模传导骚扰抗扰度试验 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 电磁兼容性electromagnetic patibility;EMC 电子设备在电磁干扰(EMI)和静电放电(ESD)环境中正常工作且不对该环境中的任何事物构成不 能承受的电磁干扰的能力. 3.2 电磁干扰electromagnetic interference;EM 电磁波谱的非离子化（亚光学）部分中任何可能会引起电子设备中不希望有的反应的电磁信号. 3.3 静电放电electrostatic discharge;ESD 具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移. 3.4 超低频磁场extremely low frequency magnetic;ELF 设备和设施内电流产生的超低频（约为1Hz~1kHz)磁场. 3.5 敏感设备sensitive equipment 任何性能会受到ELF的不利影响的设备. GB/T30116-2013 注：例如扫描电子显微镜(SEM)3.6 受试设备equipment under test;EUT 进行电磁兼容试验的设备. 3.7 端口port 指定设备与外部电磁环境的特定接口（见图1）. 交流电源端口 工艺、测量端口 机箱端口 信号端口 直流电源端口 接地端口 图1 3.8 机箱端口enclosure port 设备的物理边界.电磁场通过该边界辐射或照射. 4要求 4.1性能要求 以下是评价半导体制造中所用不同等级的设备和电子系统的电磁兼容性的通用准则.在电磁兼容 试验中，任何类型的故障或失常都应记录在试验报告中.半导体生产设施电磁兼容性分为A、B、C三个 等级，判据如下： 性能判据A:设备在试验期间和试验后应满足功能或性能要求.对于工艺设备，处理结果都应 符合相应要求.不...
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