JB/T 9478.2-2013 光电池测量方法 第2部分：伏安特性
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资源简介：
ICs19.020
L54 JB
备案号：44249-2014
中华人民共和国机械行业标准
JB/T9478.2-2013代替JBT9478.2-1999
光电池测量方法第2部分：伏安特性
Measuring methods of photocell-Part 2:Voltage-current characteristic
2013-12-31发布2014-07-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
1范围
B/T9478的本部分规定了测量光电池伏安特性应遵守的基本方法。
本部分证用于光电池伏安特性的量。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注口期的引用文件，仅注日期的版本通用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
B/T9478.1光电池测量方法第1部分：总则
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
伏安特性voltage-current characteristic
光照一定时，改变负载电阻值，此时流过负载的电流和光电池端电压的关系曲线。
4要求
4.1基本要求
按B/T9478.1的规定。
4.2暗箱
暗箱通常分为两节：一节供给光源：另一节供给待测器件，两者都有规定的孔径，中性滤光片插在连接处，器件的光敏面与光源垂直且两者之间的臣离是可调的。
暗箱中应有带刻度的导轨，并有夹持被测样品的样品架。样品架可沿导轨平行于光轴移动，以改变器件与光源的距离，从面获得不同强度的光照。暗箱不应有漏光现象，并在暗箱内设置若干光栏。
4.3光源
光源一般采用色温为2856K的发光强度标准灯。
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