T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法.pdf
文档页数：10文档大小：455.06KB文档格式：pdfICS29.045 Wie Ban uo H80/84 WB ZBAOUU 团体标准 T/IAWBS011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法一非接触涡流法 Test methods for measuring resistivity of conductive silicon carbide wafers with a noncontact eddy-current gauge 2019-12-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS011-2019 目录 目录 I 前言 ..Ⅱ 1范围. ...1 2规范性引用文件 1 3 术语和定义 .1 4 测试原理 .1 5 测试仪器 .2 6 干扰因素. .2 7 测试环境 3 8 测试样片 .3 9 测试程序 3 9.1 仪器校准 9.2 测量点分布 3 9.3 测量4 10 精密度 4 11 测试报告 I ...
本文来自寄你深情投稿，不代表文丁图集立场，如若转载，请注明出处：https://www.2b34.com/blog/185617.html
微信扫一扫 
