GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法.pdf
文档页数：6文档大小：548.52KB文档格式：pdfICS77.040 H25 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T344812017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度 (EPD)的测量方法 Test method for measuring etch pit density(EPD)in low dislocation density monocrystalline germanium slices 2017-10-14发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T34481-2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导 体研究所. 本标准主要起草人：惠峰、普世坤、董汝昆. I GB/T34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度 (EPD)的测量方法 1范围 本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法. 本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错 腐蚀坑密度. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T5252锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 3方法提要 锗单晶片经化学腐蚀法显示位错腐蚀坑后，用显微镜可观察视场面积内的腐蚀坑数目.位错腐蚀 坑密度等于穿过视场面积的腐蚀坑数目除以视场面积.锗单晶片主要有0°、(100)偏(111)6°和(100)偏 (111)9°三种，其位错图像分别如图1、图2、图3所示. 图10°200× 图2(100)偏(111)6°200× 图3(100)偏(111)9°200× 1 ...
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