GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法.pdf
文档页数：7文档大小：364.56KB文档格式：pdfICS77.040 H17 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T17170—2015 代替GB/T17170一1997 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2 浓度红外吸收测试方法 Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy 2015-12-10发布 2016-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T17170-2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T17170一1997《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》. 本标准与GB/T17170一1997相比，主要有以下变化： ——修改了标准名称； 一增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”等章； —扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围，将电阻率大于10？0cm修改为大于102cm; —一将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”； —一删除了0.4mm~2mm厚度测试样品的解理制样方法. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、 中国电子材料行业协会. 本标准主要起草人：何秀坤、李静、张雪囡. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T17170-1997. I ...
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