GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法.pdf
文档页数：8文档大小：657.17KB文档格式：pdfICS77.040 H21 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 Test method for dislocation density of GaN single crystal- Cathodoluminescence spectroscopy 2015-12-10发布 2016-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T32282-2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司. 本标准主要起草人：曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科. I GB/T32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 1范围 本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法. 本标准适用于位错密度在1×103个/cm2~5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所用的修改单）适用于本文件. GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T27788微束分析扫描电镜图像放大倍率校准导则 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 阴极荧光cathodoluminescence 材料在阴极射线（电子束）激发下产生发光的一种物理现象. 3.2 辐射复合radiative rebination 电子从高能态到低能态的跃迁过程中，电子和空穴复合时会释放一定的能量，能量以光子的形式 释放. 3.3 非辐射复合nonradiative rebination 电子从高能态到低能态的跃迁过程中，电子和空穴复合时会释放一定的能量，能量以除光子辐射之 外的其他形式释放. 4方法提要 通常，待测发光材料样品在电子束的作用下，会被激发出各种信号，如二次电子信号、背散射电子信 号、X射线信号、阴极荧光信号等.采用特定的探测器对上述信号进行分别接收，便可得到反映样品相 应特征的图像.对阴极荧光信号主要采用光电倍增管来探测，将光信号转换成电流，最后以图像输出. 阴极荧光图像上的衬度反映了样品不同区域发光的强弱. 位错通常是氮化镓单晶中的非辐射复合中心，因此会在阴极荧光图像上表现为暗点，阴极荧光显微 镜的空间分辨率可达到几十纳米，所以可在不破坏样品的前提下检测氮化镓单晶的位错密度. 1 ...
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