SJ/T 11766-2020 光电耦合器件低频噪声参数测试方法.pdf
文档页数：7文档大小：1.44MB文档格式：pdfICS31.080.01 L50 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T117662020 光电耦合器件低频噪声参数测试方法 Measurement method of low-frequency noise parameters for photocouplers 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 6107 rs 0 SJ/T11766—2020 目次 前言 III 1范围， .1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 4测试条件及要求 ATN .1 5测试系统的构成及要 5.1通则. TRY NFORMATION TEC1 5.2测试偏置电路 1 6测试程序 2 6.1测试准 2 6.2噪声电压功谱密 2 6.3 噪市中 2 6.4数居的记录 2 附录A 资料性附录) dLSINIW SJ HNOLOGY 4 STANDARDS SJ/T11766—2020 前言 电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括：《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》 和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法，后者包括但不限于：《晶体管低频噪声参数测试方法》、 《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数 测试方法》等. 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本义件的发布机构不承担这些专利的责任. 本标准由基于低频噪声技术的电子元 检测标推工作组归口. 本标准起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、西安电科技大学、重庆赛宝工业技术研究院、 中国运载火箭技术研究院 瑞普北元电子有限公司、苏州半导体有限公司、中国振华集团永光 电子有限公司、深圳市盛料技有限公司、中国电子科技集团公司第四心研所. 本标准主要草人 余 永涛、胡为、张伟、王勇、王四新、宋亚美、顾 、刘焱、张开云、陈义 强、黄平、王. HO MULSININ SJ STANDARDS III ...
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