GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器（FLASH）.pdf
文档页数：16文档大小：4.32MB文档格式：pdfICS31.200 CCS L56 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH) Semiconductor integrated circuits- Flash memory(FLASH) 2023-09-07发布 2024-01-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T42974-2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口. 本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、兆易创新科技集团股份有限公司、合肥美菱物联科 技有限公司、存心科技（北京）有限公司、芯天下技术股份有限公司、三旗（惠州）电子科技有限公司. 本文件主要起草人：罗晓羽、何卫、辛钧、胡洪、苏志强、李东琦、韩旭、龙冬庆、张静、李柏泉、王如松、 李敬、李海龙. GB/T42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH) 1范围 本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则. 本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件. GB/T191包装储运图示标志 GB/T4937.3半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检 GB/T4937.4半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST) GB/T4937.11半导体器件机械和气候试验方法第11部分：快速温度变化双液槽法 GB/T4937.13半导体器件机械和气候试验方法第13部分：盐雾 GB/T4937.14半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度（引线牢固性） GB/T4937.15半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 GB/T4937.21半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性 GB/T4937.23半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命 GB/T4937.26半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电(ESD)敏感度测试人 体模型(HBM) GB/T4937.27半导体器件机械和气候试验方法第27部分：静电放电(ESD)敏感度测试机 器模型(MM) GB/T9178集成电路术语 GB/T12750半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路） GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 GB/T35003非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 GB/T36477一2018半导体集成电路快闪存储器测试方法 IEC60749-6半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存(Semiconductor devices-一 Mechanical and climatic test methods-Part 6:Storage at high temperature) IEC60749-8半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封(Semiconductor devices-一Me- chanical and climatic test methods-Part 8:S...
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