T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验.pdf
文档页数：9文档大小：446.09KB文档格式：pdfICS29.045 ot Wide Band suon 轳"笫"轳4 WB 团 体标准 T/IAWBS009-2019 on Associato Conducion 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 High Voltage Bias Steady-state Temperature Humidity Test for Power ouu Semiconductor Devices K6010 宽禁带半导体技术创新联盟 "©©2-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 009-2019 目次 前言 1范围 2 2规范性引用文件 .2 3一般性说明. 4试验装置要求 .2 4.1湿热试验箱. .2 4.2高压直流电源 .2 4.3加湿用水.2 4.4最小污染物释放 .3 4.5避免高压放电 3 4.6器件发热控制. .3 5试验条件及严酷等级 .3 6试验步骤 6.1《一般要求3 6.2预处理 .3 6.3初始检测 .4 6.4受试器件安装 “.4 6.5上升 6.6下降 .4 6.7器件内部湿气稳定时间 ..4 6.8试验计时 .4 6.9施加偏置电压 6.10中间检测.. .4 6.11最后检测 .4 7失效判据 4 8试验报告中应给出的信息 5 宽禁带半导体校术创新联盟 I ...
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