SJ/T 11768-2020 电阻器低频噪声参数测试方法.pdf
文档页数：8文档大小：3.63MB文档格式：pdfICS31.040.01 L13 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11768—2020 电阻器低频噪声参数测试方法 Measurement method of low-frequency noise parameters for resistors 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11768—2020 目次 前言… III 1范围…… ...........1 2规范性引用文件 ....1 3术语和定义…… .1 4测试条件及要求 A 5测试系统的构成及要求 5.1通则…… TRY 2 5.2测试偏置电路 .2 6测试程序…. 2 6.1测试准备 NFORMATION TE .2 6.2过剩噪脖电 ……2 6.3过剩噪声 电 乐功率 6.4 过剩噪声指数 3 6.5数据的录 …3 附录A 资紧科性附录) 4 LSINIW SJ STANDARDSJ SJ/T11768—2020 前言 电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括：《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》 和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法，后者包括但不限于：《晶体管低频噪声参数测试方法》、 《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数 测试方法》. 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担这些专利的责任. 本标准由基于低频噪声技术的电子元器伊可无检测标准工作组归口. 本标准起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、中国载火箭技术研究院、西安电子科技大学、 四川永星电子有限公司、深圳市量为科技有限公司、北京七 八发子有限公司、中国振华集团云科 电子有限公司、中国空回技术研究院. 本标准主要起草人 余水涛、胡为、罗宏伟、加春雷、梁永红、黄 电 曾炀、陈德舜、范壮 壮. MULSININ SJ STANDARDS III ...
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