GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法.pdf
文档页数：18文档大小：1.16MB文档格式：pdfICS31.200 L56 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法 Semiconductor integrated circuit- Measuring methods for flash memory 2018-06-07发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 36477-2018 目 次 前言1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4一般要求 4.1设备和条件 1 4.2电参数测试向量 1 5详细要求 2 5.1输出高电平电压和输出低电平电压 5.2输入高电平电压和输入低电平电压 3 5.3输入高电平电流和输入低电平电流 5 5.4输出高电平电流和输出低电平电流 5 5.5输出高电阻状态电流6 5.6电源电流和漏电流 6 5.7传输时间 7 5.8建立时间和保持时间 9 5.9延迟时间 11 5.10有效时间（适用时）11 5.11存储器的特定时间11 5.12存储单元0变1功能 11 5.13存储单元1变0功能12 5.14特殊数据图形功能 13 附录A(资料性附录)快闪存储器测试流程14 GB/T36477-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口. 本标准起草单位：中国电子技术标准化研究院、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、上海复旦 微电子集团股份有限公司、深圳市中兴微电子技术有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、复旦大 学、中兴通讯股份有限公司. 本标准主要起草人：菅端端、陈大为、钟明琛、罗晓羽、冯光涛、倪昊、赵子鉴、董艺、田万廷、高硕、 闵昊、刘刚. I ...
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